電參數(shù)測(cè)試：首先，通過(guò)參數(shù)分析儀對(duì)半導(dǎo)體器件進(jìn)行電參數(shù)測(cè)試，包括電流-電壓（I-V）特性、電容-電壓（C-V）特性測(cè)試。這些測(cè)試可以幫助識(shí)別器件的電氣性能是否符合規(guī)格，如是否存在電流泄漏、電壓異常等現(xiàn)象。
溫度效應(yīng)分析：在不同的溫度條件下進(jìn)行測(cè)試，觀察器件性能的變化。溫度變化可以揭示器件的熱穩(wěn)定性問(wèn)題，如熱失控或熱失效。
動(dòng)態(tài)性能測(cè)試：測(cè)量器件的動(dòng)態(tài)參數(shù)，如頻率響應(yīng)和增益，以評(píng)估其在高頻工作狀態(tài)下的性能。
故障隔離：當(dāng)測(cè)試顯示出異常時(shí)，使用參數(shù)分析儀的精密探針功能對(duì)器件的內(nèi)部節(jié)點(diǎn)進(jìn)行探測(cè)，以隔離故障區(qū)域。這可能涉及到逐步剝離器件的封裝，以暴露出芯片的各個(gè)部分進(jìn)行測(cè)試。
光學(xué)和顯微鏡檢查：使用光學(xué)顯微鏡或電子顯微鏡觀察器件的表面和橫截面，檢查是否存在物理?yè)p傷、裂紋、材料缺陷或工藝問(wèn)題。
X射線和超聲波檢測(cè)：利用X射線和超聲波掃描顯微鏡進(jìn)行非破壞性檢測(cè)，以發(fā)現(xiàn)內(nèi)部的結(jié)構(gòu)問(wèn)題或組裝缺陷。
化學(xué)分析：對(duì)器件進(jìn)行化學(xué)解封后，使用掃描電子顯微鏡（SEM）和能量色散X射線光譜（EDX）等技術(shù)進(jìn)行化學(xué)成分分析，以識(shí)別材料的組成和可能的污染物。
電學(xué)建模和仿真：通過(guò)電學(xué)建模和仿真，模擬器件在理想狀態(tài)下的性能，并與實(shí)際測(cè)試結(jié)果進(jìn)行比較，以識(shí)別性能偏差的原因。
失效模式分析：根據(jù)測(cè)試結(jié)果，分析器件的失效模式，如開路、短路、參數(shù)漂移等，并推斷出可能的失效機(jī)理。
故障樹分析：構(gòu)建故障樹，通過(guò)邏輯門電路的方式，分析各種故障原因與失效模式之間的關(guān)聯(lián)，以確定最可能的故障原因。
